M31與臺積電發(fā)布N6e? 平臺超低功耗存儲器編譯器 加速AIoT創(chuàng)新
新竹2025年10月2日 /美通社/ -- 全球硅智財（IP）領(lǐng)先供應(yīng)商円星科技（M31 Technology Corporation，下稱 M31）今日于臺積公司北美開放創(chuàng)新平臺?（OIP）生態(tài)系論壇宣布，延續(xù)先前在臺積電N12e?制程上成功驗證的低功耗IP解決方案，M31進(jìn)一步擴(kuò)展至N6e?平臺，推出全新超低漏電（ULL）、極低漏電（ELL）以及低電壓操作（Low-VDD）存儲器編譯器。同時，M31再度榮獲2025年臺積公司OIP年度合作伙伴特殊制程IP獎，這是M31連續(xù)第八年獲得此殊榮，充分展現(xiàn)其在臺積電OIP生態(tài)系中的卓越貢獻(xiàn)與緊密合作關(guān)系，再次印證M31在硅智財創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
M31獲頒“臺積電 2025 OIP矽智財伙伴獎” --M31總經(jīng)理-張原熏(左)
基于臺積公司N6e先進(jìn)制程開發(fā)的這系列存儲器編譯器，專為AI邊緣運(yùn)算與物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置打造，進(jìn)行極致低功耗優(yōu)化設(shè)計，并提供采用LL、ULL與ELL SRAM bit cells的定制化解決方案，協(xié)助智慧家庭、穿戴式裝置等應(yīng)用在性能與功耗之間取得最佳平衡。其中，N6e制程ULL存儲器編譯器具備高密度、高性能的SRAM與One Port Register File，并支持冗余（Redundancy）、電源閘控（Power Gating）、掃描測試（Scan）、內(nèi)建自我測試（BIST）MUX以及寬頻范圍Dual-rail，能夠?qū)崿F(xiàn)動態(tài)電壓與頻率調(diào)整（DVFS），并采用High Sigma設(shè)計方法，確保在嚴(yán)苛邊界條件下依然穩(wěn)健運(yùn)行。ELL存儲器編譯器則進(jìn)一步提升功耗效率，在深度睡眠模式（Deep Sleep Mode）下可降低高達(dá)50%功耗，滿足對能效與芯片面積要求嚴(yán)苛的設(shè)計需求，同時兼顧速度與靈活性。此外，低電壓（Low-VDD）存儲器編譯器可在僅0.5V的操作電壓下運(yùn)行，大幅降低動態(tài)與漏電功耗。通過ULL、ELL與Low-VDD三大產(chǎn)品組合，M31為N6e?平臺提供完整且高度靈活的設(shè)計支持。
M31總經(jīng)理張原熏表示：“M31與臺積公司長期以來的合作關(guān)系，是我們持續(xù)創(chuàng)新的重要基石。從N12e低功耗解決方案到最新的N6e ULL、ELL及Low-VDD存儲器編譯器，我們不斷推出領(lǐng)先業(yè)界的IP，協(xié)助AIoT與邊緣應(yīng)用加速芯片設(shè)計的成功落地。展望未來，我們期待與臺積公司及OIP生態(tài)系伙伴深化合作，共同推動AI驅(qū)動技術(shù)的持續(xù)發(fā)展?！?/p>
